Electronic properties of TiO2-based materials characterized by high Ti3+ self-doping and low recombination rate of electron–hole pairs

Author:

Aronne A.12345ORCID,Fantauzzi M.6785,Imparato C.12345,Atzei D.6785,De Stefano L.91045,D'Errico G.1131245,Sannino F.13314515,Rea I.91045ORCID,Pirozzi D.12345,Elsener B.678516,Pernice P.12345,Rossi A.6785ORCID

Affiliation:

1. Dipartimento di Ingegneria Chimica

2. dei Materiali e della Produzione Industriale

3. Università di Napoli Federico II

4. Napoli

5. Italy

6. Dipartimento di Scienze Chimiche e Geologiche

7. Università di Cagliari

8. I-09042 Monserrato

9. Istituto per la Microelettronica e Microsistemi

10. Consiglio Nazionale delle Ricerche

11. Dipartimento di Scienze Chimiche

12. Complesso Universitario M.te S. Angelo

13. Dipartimento di Agraria

14. Portici

15. Centro Interdipartimentale di Ricerca sulla Risonanza Magnetica Nucleare per l'Ambiente

16. ETH Zurich

Abstract

Ti3+ self-doped black titania is obtained by a simple annealing in air without harsh conditions nor external reducing agents.

Publisher

Royal Society of Chemistry (RSC)

Subject

General Chemical Engineering,General Chemistry

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