Dielectric and electrical properties of annealed ZnS thin films. The appearance of the OLPT conduction mechanism in chalcogenides

Author:

Koaib J.12345,Bouguila N.12345,Abassi H.678910ORCID,Moutia N.12345,Kraini M.12345,Timoumi A.111213514ORCID,Vázquez-Vázquez C.1516171819ORCID,Khirouni K.12345,Alaya S.12345

Affiliation:

1. Laboratoire de Physique des Matériaux et des Nanomatériaux appliquée à l'environnement

2. Faculté des Sciences

3. Université de Gabès

4. 6072 Gabès

5. Tunisia

6. Laboratoire de Caractérisations

7. Applications et Modélisation de Matériaux

8. Faculté des Sciences de Tunis

9. Université Tunis El Manar

10. Tunis

11. Photovoltaic and Semiconductor Materials Laboratory

12. National Engineering School of Tunis

13. 1002 Tunis

14. Thin Film and Solar Cells Laboratory

15. Laboratory of Magnetism and Nanotechnology (NANOMAG)

16. Department of Physical Chemistry

17. Faculty of Chemistry

18. Universidade de Santiago de Compostela

19. 15782 Santiago de Compostela

Abstract

The annealing temperature (Ta) dependence of the structural, morphological, electrical and dielectric properties of ZnS thin films was investigated.

Funder

Ministerio de Ciencia e Innovación

Fundación Ramón Areces

Ministère de l’Enseignement Supérieur et de la Recherche Scientifique

Federación Española de Enfermedades Raras

Publisher

Royal Society of Chemistry (RSC)

Subject

General Chemical Engineering,General Chemistry

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