Control of the Cu morphology on Ru-passivated and Ru-doped TaN surfaces – promoting growth of 2D conducting copper for CMOS interconnects

Author:

Nies Cara-Lena1,Natarajan Suresh Kondati2,Nolan Michael13ORCID

Affiliation:

1. Tyndall National Institute, University College Cork, Lee Maltings, Dyke Parade, Cork, T12 R5CP, Ireland

2. Synopsys Denmark ApS, Fruebjergvej 3, 2100 Copenhagen, Denmark

3. NIBEC, School of Engineering, University of Ulster at Jordanstown, BT37 0QB, UK

Abstract

Modifying the surface layer of the barrier material TaN with Ru controls the morphology of deposited copper.

Funder

Science Foundation Ireland

Publisher

Royal Society of Chemistry (RSC)

Subject

General Chemistry

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