Tuning polymorphism in 2,3-thienoimide capped oligothiophene based field-effect transistors by implementing vacuum and solution deposition methods

Author:

Benvenuti Emilia1234ORCID,Gentili Denis1234ORCID,Chiarella Fabio56784,Portone Alberto91011412,Barra Mario56784ORCID,Cecchini Marco121314154ORCID,Cappuccino Chiara161718194ORCID,Zambianchi Massimo202134,Lopez Sergio G.1234,Salzillo Tommaso221723244ORCID,Venuti Elisabetta221723244ORCID,Cassinese Antonio56784,Pisignano Dario121314154,Persano Luana121314154,Cavallini Massimiliano1234ORCID,Maini Lucia161718194ORCID,Melucci Manuela202134,Muccini Michele1234ORCID,Toffanin Stefano1234

Affiliation:

1. Istituto per lo Studio dei Materiali Nanostrutturati

2. Consiglio Nazionale delle Ricerche (CNR-ISMN)

3. 40129 Bologna

4. Italy

5. CNR-SPIN e Dipartimento di Fisica

6. Università di Napoli Federico II

7. Piazzale Tecchio 80

8. 80125 Napoli

9. Dipartimento di Matematica e Fisica “Ennio De Giorgi”

10. Università del Salento

11. Lecce

12. NEST

13. Istituto Nanoscienze-CNR

14. Piazza S. Silvestro 12

15. I-56127 Pisa

16. Dipartimento di Chimica “G. Ciamician”

17. Università di Bologna

18. Via F. Selmi 2

19. Bologna

20. Istituto per la Sintesi Organica e la Fotoreattività

21. Consiglio Nazionale delle Ricerche (CNR-ISOF)

22. Dipartimento di Chimica Industriale Toso Montanari

23. Viale del Risorgimento 4

24. 40136 Bologna

Abstract

The impact of the processing method in controlling the polymorphism and field-effect charge mobility of 2,3-thienoimide-based oligothiophenes semiconductors was investigated.

Funder

Horizon 2020 Framework Programme

Ministero dell'Istruzione, dell'Università e della Ricerca

Publisher

Royal Society of Chemistry (RSC)

Subject

Materials Chemistry,General Chemistry

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