Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs / GaAs, легированными атомами переходных элементов. II. Исследование циркулярно-поляризованной люминесценции-Reference-Cited by-同舟云学术

Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs / GaAs, легированными атомами переходных элементов. II. Исследование циркулярно-поляризованной люминесценции

Published:2017 Issue:10 Volume:87 Page:1539
ISSN:0044-4642
Container-title:Журнал технической физики
language:ru
Short-container-title:

Author:

Дорохин М.В.¹,Зайцев С.В.²,Рыков А.В.¹,Здоровейщев А.В.¹,Малышева Е.И.¹,Данилов Ю.А.¹,Зубков В.И.³,Фролов Д.C.³,Яковлев Г.Е.³,Кудрин А.В.¹

Affiliation:

1. Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия

2. Институт физики твердого тела РАН, Черноголовка, Московская обл., Россия

3. Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия

Publisher

Ioffe Institute Russian Academy of Sciences

Cited by 1 articles. 订阅此论文施引文献订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献

1. EMISSION PROCESSES OF QUANTUM WELL INTERACTION WITH DELTA-LAYER IN pHEMT-HETEROSTRUCTURES;Journal of the Russian Universities. Radioelectronics;2018-12-06