Оптическое усиление в лазерных гетероструктурах с активной областью на основе короткопериодной сверхрешетки InGaAs/InGaAlAs-Reference-Cited by-同舟云学术

Оптическое усиление в лазерных гетероструктурах с активной областью на основе короткопериодной сверхрешетки InGaAs/InGaAlAs

Published:2019 Issue:12 Volume:127 Page:963
ISSN:0044-4642
Container-title:Журнал технической физики
language:ru
Short-container-title:

Author:

Карачинский Л.Я.¹,Новиков И.И.²,Бабичев А.В.²,Гладышев А.Г.²,Колодезный Е.С.²,Рочас С.С.²,Курочкин А.С.²,Бобрецова Ю.К.³,Климов А.А.³,Денисов Д.В.⁴,Воропаев К.O.⁵⁶,Ионов А.С.⁶,Бугров В.Е.²,Егоров А.Ю.²

Affiliation:

1. ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия

2. Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (Университет ИТМО), Санкт-Петербург, Россия

3. Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия

4. Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия

5. Новгородский государственный университет им. Ярослава Мудрого, Великий Новгород, Россия

6. ОАО "ОКБ-Планета", Великий Новгород, Россия

Abstract

An active region design based on the InGaAs/InGaAlAs superlattice for laser diodes of 1535-1565 nm spectral range was proposed and experimentally realized. It has been shown that the use of active region design based on superlattice allows increasing the modal gain at equal values of the pump current density in comparison with a common used active-region design based on a set of InGaAs quantum wells.

Publisher

Ioffe Institute Russian Academy of Sciences

Cited by 1 articles. 订阅此论文施引文献订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献

1. The Influence of the Parameters of a Short-Period InGaAs/InGaAlAs Superlattice on Photoluminescence Efficiency;Technical Physics Letters;2020-11