Selective Growth of GaP Crystals on CMOS-Compatible Si Nanotip Wafers by Gas Source Molecular Beam Epitaxy

Author:

Kafi Navid1,Kang Songdan1,Golz Christian1,Rodrigues-Weisensee Adriana1,Persichetti Luca2,Ryzhak Diana3,Capellini Giovanni34ORCID,Spirito Davide3ORCID,Schmidbauer Martin5,Kwasniewski Albert5,Netzel Carsten6,Skibitzki Oliver3,Hatami Fariba1ORCID

Affiliation:

1. Institut für Physik, Humboldt Universität zu Berlin, 12489 Berlin, Germany

2. Dipartimento di Fisica, Università di Roma Tor Vergata, 00133 Roma, Italy

3. IHP-Leibniz Institut für Innovative Mikroelektronik, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany

4. Dipartimento di Scienze, Universita Roma Tre, 00146 Roma, Italy

5. Leibniz Institut für Kristallzüchtung, Max-Born Str.2, 12489 Berlin, Germany

6. Ferdinand-Braun-Institut gGmbH, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Str. 4, 12489 Berlin, Germany

Funder

European Commission

Deutsche Forschungsgemeinschaft

Publisher

American Chemical Society (ACS)

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