Energy-Level Alignment of a Hole-Transport Organic Layer and ITO: Toward Applications for Organic Electronic Devices

Author:

Arnoux Quentin123,Boucly Anthony1,Barth Vincent234,Benbalagh Rabah1,Cossaro Albano5ORCID,Floreano Luca5ORCID,Silly Mathieu6,Sirotti Fausto6,Derat Etienne2ORCID,Carniato Stéphane1,Bournel Fabrice16,Gallet Jean-Jacques16,Fichou Denis247,Tortech Ludovic23ORCID,Rochet François16

Affiliation:

1. Sorbonne Universités, UPMC Univ Paris 06, UMR 7614, Laboratoire de Chimie Physique Matière et Rayonnement (LCPMR), F-75005 Paris, France

2. Sorbonne Universités, UPMC Univ Paris 06, UMR 8232, Institut Parisien de Chimie Moléculaire (IPCM), F-75005 Paris, France

3. CEA Saclay, IRAMIS, NIMBE (UMR 3685), Laboratoire d’Innovation en Chimie des Surfaces et Nanosciences (LICSEN), F-91191 Gif-sur-Yvette, France

4. CNRS, UMR 8232, Institut Parisien de Chimie Moléculaire (IPCM), F-75005 Paris, France

5. CNR-IOM, Istituto Officina dei Materiali, TASC Laboratory, S.S. 14, km 163.5, 34149 Basovizza, Italy

6. Synchrotron SOLEIL, L’Orme des Merisiers, Saint-Aubin, BP 48, F-91192 Gif-sur-Yvette, France

7. School of Physical and Mathematical Sciences (SPMS), Nanyang Technological University, Singapore 637371, Singapore

Funder

Agence Nationale de la Recherche

Publisher

American Chemical Society (ACS)

Subject

General Materials Science

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