Heavily Doped Si Nanocrystals Formed in P-(SiO/SiO2) Multilayers: A Promising Route for Si-Based Infrared Plasmonics

Author:

Valdenaire Alix1,Giba Alaa Eldin12,Stoffel Mathieu1ORCID,Devaux Xavier1ORCID,Foussat Loïc3,Poumirol Jean-Marie3ORCID,Bonafos Caroline3,Guehairia Sonia4,Demoulin Rémi4,Talbot Etienne4ORCID,Vergnat Michel1,Rinnert Hervé1

Affiliation:

1. Institut Jean Lamour, Université de Lorraine, CNRS, F-54000 Nancy, France

2. National Institute of Laser Enhanced Sciences, Cairo University, Giza 12613, Egypt

3. CEMES-CNRS, Université de Toulouse, CNRS, 31055 Toulouse, France

4. Groupe de Physique des Matériaux, Normandie Univ., UNIROUEN, INSA Rouen, CNRS, 76000 Rouen, France

Funder

Agence Nationale de la Recherche

Centre National de la Recherche Scientifique

Publisher

American Chemical Society (ACS)

Subject

General Materials Science

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1. Doped silicon nanoparticles. A review;Доклады Российской академии наук. Химия, науки о материалах;2024-07-19

2. Doped Silicon Nanoparticles. A Review;Doklady Chemistry;2024-01

3. Controlling photoluminescence of silicon quantum dots using pristine-nanostates formation;Optical Materials;2024-01

4. Isolation of cubic Si3P4 in the form of nanocrystals;Beilstein Journal of Nanotechnology;2023-09-26

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