MOCVD Growth and Characterization of Be-Doped GaN

Author:

McEwen Benjamin1ORCID,Reshchikov Michael A.2,Rocco Emma1,Meyers Vincent1,Hogan Kasey1,Andrieiev Oleksandr2,Vorobiov Mykhailo2,Demchenko Denis O.2,Shahedipour-Sandvik Fatemeh1

Affiliation:

1. College of Nanoscale Science and Engineering, SUNY Polytechnic Institute, Albany, New York 12203-3613, United States

2. Department of Physics, Virginia Commonwealth University, Richmond, Virginia 23284-2000, United States

Funder

Division of Materials Research

Publisher

American Chemical Society (ACS)

Subject

Materials Chemistry,Electrochemistry,Electronic, Optical and Magnetic Materials

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