Нано-архитектура кванторазмерных структур при выращивании из четырехкомпонентной In–As–Sb–P жидкой фазы на подложке InAs(100)

Abstract

В данной обзорной статье мы представляем результаты выращивания, исследования и электронные свойства индуцированных деформацией микро- и наноструктур состава InAsSbP. Зародышеобразование осуществляется из четырехкомпонентной жидкой фазы состава In–As–Sb–P в режиме роста Странского– Крастанова с использованием равновесной жидкофазной эпитаксии. Рассматривается трансформация формы пирамидальных островков, а также особенности роста линзообразных и эллипсоидальных квантовых точек (КТ) II типа, квантовых колец и КТ-молекул. Показано, что применение четырехкомпонентного смачивающего слоя состава InAsSbP позволяет не только более гибко контролировать несоответствие решеток смачивающего слоя и подложки InAs(100), но и открывает новые возможности в наномасштабной инженерии и наноархитектуре нескольких типов кванторазмерных структур. Сканирующий электронный микроскоп высокого разрешения (СЭМ-ВР), а также атомно-силовой (АСМ) и просвечивающий электронный (ПЭМ) микроскопы используются для характеризации наноструктур. Оптоэлектронные свойства выращенных структур в средней инфракрасной области спектра исследованы с помощью измерений спектров поглощения и фотоотклика. Изготовлены и исследованы два типа КТ-фотодетекторов среднего ИК-диапазона. Показано, что применение КТ позволяет улучшить некоторые выходные характеристики созданных устройств, в частности повысить чувствительность, расширить спектральный диапазон и т.д.