Иерархическая антиотражающая поверхность кремниевых подложек для тандемных солнечных элементов
Affiliation:
1. Национальный политехнический университет Армении, Ереван, Армения
Abstract
Исследованы структурные и оптические свойства тандемных структур кремний/перовскит с иерархической антиотражающей поверхностью на границе раздела. Поверхность состояла из микроразмерных пирамид и наноразмерных коротких игл, образованных соответственно методами химического и реактивного ионного травления кремниевых подложек. Показано, что пленка перовскита без пор и пустот с высокой степенью конформности покрывает иерархическую поверхность. Изготовленные образцы характеризуются низким коэффициентом отражения в широком диапазоне длин волн излучения.
The structural and optical properties of tandem silicon/perovskite structures with a hierarchical antireflective surface at the interface have been studied. The surface consisted of micro-sized pyramids and nano-sized short needles, formed respectively by chemical and reactive ion etching of silicon substrates. It is shown that a perovskite film without pores and voids covers a hierarchical surface with high conformity. The manufactured samples are characterized by low reflectance over a wide range of radiation wavelengths.
Հետազոտվել են սահմանագծում հիերարխիական հակաանդրադարձնող մակերևույթով սիլիցիում/պերովսկիտ տանդեմային կառուցվածքների կառուցվածքային և օպտիկական հատկությունները: Մակերևույթը կազմված էր սիլիցիումային հարթակների համապատասխանաբար քիմիական և ռեակտիվ իոնային խածատման մեթոդներով ձևավորված միկրոչափային բուրգերից և նանոչափային կարճ ասեղիկներից։ Ցույց է տրվել, որ պերովսկիտե թաղանթը առանց ծակոտիների և դատարկությունների, բարձր աստիճանի համաձևությամբ ծածկում է հիերարխիական մակերևույթը: Պատրաստված նմուշները բնութագրվում են ճառագայթման ալիքի երկարությունների լայն տիրույթում անդրադարձման ցածր գործակցով:
Publisher
National Academy of Sciences of the Republic of Armenia
Reference14 articles.
1. M. Otto, M. Algasinger, H. Branz, B. Gesemann, T. Gimpel, K. Füchsel, T. Käsebier,S. Kontermann, S. Koynov, X. Li, V. Naumann, J. Oh, A. Sprafke, J. Ziegler, M. Zilk,R. Wehrspoh. Adv. Opt. Mater., 3, 147 (2015). 2. S. Jurečka, M. Králik, E. Pinčík, K. Imamuram, T. Matsumoto, H. Kobayashi. Proc.SPIE, 10976, 1097601 (2018). 3. Y.A. Peschenyuk, A.A. Semenov, E.Y. Gatapova. Exp. Fluids, 64, 1 (2023). 4. Soueiti, R. Sarieddine, H. Kadiri, A. Alhussein, G. Lerondel, R. Habchi. Nanoscale,15, 4738 (2023). 5. X. Liu, B. Radfar, K. Chen, O.E. Setälä, T.P. Pasanen, M. Yli-Koski, H. Savin, V.Vähänissi. IEEE Trans. Semicond. Manuf., 35, 504 (2022).
|
|