Affiliation:
1. Институт физических исследований НАН Армении, Аштарак, Армения
Abstract
Рассмотрены спектральные особенности и структурные факторы, влияющие на формирование полос люминесценции Ce3+ ионов в кристаллах YAG:Ce. Определены энергетические уровни 4f оболочки ионов Се3+, занимающих как додекаэдрические, так и октаэдрические узлы кристаллической решетки. Показано участие ионов Се3+ и ионов Се3+ Al в структуре полосы люминесценции и определена многоцентровая структура ионов Се3+ в 4f↔5d переходах активатора.
The spectral features and structural factors influencing the formation of luminescence bands of Ce3+ ions in YAG:Ce crystals are considered. The energy levels of the 4f shell of Ce3+ ions occupying both dodecahedral and octahedral sites of the crystal lattice have been determined. The participation of Ce3+ ions and Ce3+ Al ions in the structure of the luminescence band was shown and the multicenter structure of Ce3+ ions in the 4f↔5d transitions of the activator was determined.
Ներկայացված աշխատանքում դիտարկված են YAG:Ce բյուրեղներում Ce3+ իոնների սպեկտրալ առանձնահատկությունները և կառուցվածքային գործոնները, որոնք ազդում են ակտիվատորի լյումինեսցենցիոն շերտերի կազմավորման վրա: Որոշված են Ce3+ իոնների 4f շերտի էլեկտրոնային մակարդակները, որոնք զբաղեցնում են բյուրեղական ցանցում ինչպես դոդեկաէդրիկ, այնպես էլ օկտաէդրիկ հանգույցները: Ցույց է տրված դոդեկաէդրիկ և օկտաէդրիկ հանգույցներում գտնվող ակտիվատորի մասնակցությունը լյումինեսցենցիոն շերտի կառուցվածքում և սահմանվել են ակտիվատորի 4f↔5d անցումների բազմակենտրոն կառուցվածքը:
Publisher
National Academy of Sciences of the Republic of Armenia
Reference15 articles.
1. J. Ueda, S. Tanabe. Optical Materials: X, 1, 100018 (2019).
2. M. Moszynski, M. Kapusta, M. Mayhugh, D. Wolski, S.O. Flyckt. IEEE Trans. Nucl.Sci., 44, 1052 (1997).
3. J.A. Mares, M. Nikl, A. Beitlerova, C.D’Ambrosio, F. de Notaristefani, K. Blazek,P. Maly, K. Nejezchleb. Optical Materials, 24, 281 (2003).
4. J.F. Owen, P.B. Dorain, T. Kobayasi. J. Appl. Phys. 52, 12161223 (1981).
5. W.J. Miniscalco, J.M. Pellegrino, W.M. Yen. J. Appl. Phys., 49, 6109 (1978).