An Amorphous Silicon Photo TFT with Si3N4/Al2O3 or HfO2 Double Layered Insulator for Digital Imaging Applications
Author:
Affiliation:
1. University Mostefa Benboulaid, ALGERIA
Publisher
FapUNIFESP (SciELO)
Subject
Electrical and Electronic Engineering
Link
http://www.scielo.br/pdf/jmoea/v18n1/2179-1074-jmoea-18-01-0043.pdf
Reference34 articles.
1. Hydrogenated Amorphous-Silicon Image Sensors;Rosan K.;IEEE Transactions on Electron Devices,1989
2. Two-Dimensional Contact-Type Image Sensor Using Amorphous Silicon Photo-Transistor;Yamaguchi M.;Japanese Journal of Applied Physics,1993
3. An Analytical Capacitance Model for a Hydrogenated Amorphous Silicon Based Thin-Film Transistor;Hafdi Z.;Physics Procedia,2011
4. A Numerical Study of an Amorphous Silicon Dual-Gate Photo Thin-Film Transistor for Low-Dose X-Ray Imaging;Wang L.;Journal of Display Technology,2015
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