Photoluminescence spectrum Dependences on Temperature and Excitation power in InAs Quantum dots embedded in InGaAs/GaAs Quantum wells
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Abstract
Publisher
Springer Science and Business Media LLC
Subject
General Engineering
Reference24 articles.
1. Photoluminescence scanning on InAs/InGaAs quantum dot structures
2. Stimulation of excitonic and defect-related luminescence in porous SiC
3. Extremely low room-temperature threshold current density diode lasers using InAs dots in In0.15Ga0.85As quantum well
4. Hybridization of electronic states in quantum dots through photon emission
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