1. Excitation‐dependent emission in Mg‐, Be‐, Cd‐, and Zn‐implanted GaAs
2. 1. Gupta V. , Brabander N. De. , Chen P. , Boyd J. T. , Stecki A. J. , Choo A. G. , Jackson H. E. , Burnham R. D. , Smith S. C. , (submitted for publication).
3. Si‐ion implantation in GaAs and AlxGa1−xAs
4. Photoluminescence of shallow acceptors in Al0.28Ga0.72As
5. 2. Choo A. G. , Gupta V. , Jackson H. E. , Boyd J. T. , Stecki A. J. , Chen P. , Weiss B. L. , MRS Symposium Proceedings, Fall 1991 (this meeting).