Electrical and Topographical Characterization of Aluminum Implanted Layers in 4H Silicon Carbide

Author:

Rambach Martin,Bauer Anton J.,Ryssel Heiner

Publisher

Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA

Reference49 articles.

1. Infineon Technologies AG http:// www.infineon.com/cms/ en/product/ channel.html?channel=ff80808112ab 681d0112ab6a4fe6049e 2007

2. Cree Inc. http://www.cree.com/ products/ power_docs2.asp 2007

3. Large Area, Avalanche-Stable 4H-SiC PiN Diodes with VBR > 4.5 kV

4. Nitrogen Ion Implantation into α-SiC Epitaxial Layers

5. Electrical activation of high concentrations of N+ and P+ ions implanted into 4H–SiC

同舟云学术

1.学者识别学者识别

2.学术分析学术分析

3.人才评估人才评估

"同舟云学术"是以全球学者为主线,采集、加工和组织学术论文而形成的新型学术文献查询和分析系统,可以对全球学者进行文献检索和人才价值评估。用户可以通过关注某些学科领域的顶尖人物而持续追踪该领域的学科进展和研究前沿。经过近期的数据扩容,当前同舟云学术共收录了国内外主流学术期刊6万余种,收集的期刊论文及会议论文总量共计约1.5亿篇,并以每天添加12000余篇中外论文的速度递增。我们也可以为用户提供个性化、定制化的学者数据。欢迎来电咨询!咨询电话:010-8811{复制后删除}0370

www.globalauthorid.com

TOP

Copyright © 2019-2024 北京同舟云网络信息技术有限公司
京公网安备11010802033243号  京ICP备18003416号-3