Bulk and Epitaxial Growth of Micropipe-Free Silicon Carbide on Basal and Rhombohedral Plane Seeds
Author:
Publisher
Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA
Link
http://onlinelibrary.wiley.com/wol1/doi/10.1002/9783527629053.ch2/fullpdf
Reference17 articles.
1. Nitride emitters go nonpolar
2. Capillary equilibria of dislocated crystals
3. Sublimation growth of 6H- and 4H-SiC single crystals in the [11¯0 0] and [1 12¯0] directions
4. Crystal growth of micropipe free 4H–SiC on 4H–SiC seed and high-purity semi-insulating 6H–SiC
5. Determination of the in-plane anisotropy of the electron effective mass tensor in 6H–SiC
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1. Reciprocal Space Mapping Studies of the Initial Stage of the PVT Growth of 4H-SiC Crystals Parallel and Perpendicular to the c-Axis;Materials Science Forum;2014-02
2. Open Issues in SiC Bulk Growth;Materials Science Forum;2014-02
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