Strain Engineering in Modern Field Effect Transistors

Author:

Sinha Kunal

Publisher

Wiley

Reference44 articles.

1. J.E.Lilienfeld US Patent 1 745 175 (1930 filled October 26 1926) 1 877 840 (1932 filled December 8 1928) and 1 900 018 (1933 filled March 28 1928).

2. Cramming more components onto integrated circuits;Moore G. E.;Electronics.,1965

3. Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs

4. Strain Effect in Semiconductors

5. The effects of pressure and temperature on the resistance of p‐n junctions in germanium;Hall H.H.;Phys. Rev.,1951

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