Über Versetzungsbildungsmechanismen bei der Züchtung von Si-Einkristallen und ihre Deutung-Reference-Cited by-同舟云学术

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Über Versetzungsbildungsmechanismen bei der Züchtung von Si-Einkristallen und ihre Deutung

Published:1976 Issue:2 Volume:11 Page:189-201
ISSN:0023-4753
Container-title:Kristall und Technik
language:de
Short-container-title:Krist. Techn.

Author:

Geil W.,Lebek A.,Schmugge K.

Publisher

Wiley

Subject

Condensed Matter Physics,General Materials Science,General Chemistry,Pharmacology (medical),Complementary and alternative medicine,Pharmaceutical Science

Reference6 articles.

1. : Festkörperprobleme Bd. 8, (Hrsg.), Braunschweig 1968

2. : The Growth of Crystals from the melt, Amsterdam 1965

3. : Über den Einfluß von Temperaturfeldern und Fremdstoffen auf die Spannungen in zylindrischen Si-Einkristallen. Publ. 1975 in Vorbereitung

4. : Theorie der Gitterfehlstellen, Handbuch der Physik VII/2, Berlin 1958

Cited by 2 articles. 订阅此论文施引文献订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献

1. Zur Bedeutung radialer und axialer Temperaturgradienten für die Spannungen in Kristallen;Kristall und Technik;1978

2. Über Wechselwirkungen zwischen Versetzungsdichte, Fremdstoffen und Spannungen im Siliziumeinkristall;Kristall und Technik;1976

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