Comparative Study of Gate Engineered TFETs and Optimization of Ferroelectric Heterogate TFET Structure
Author:
Publisher
Wiley
Link
https://onlinelibrary.wiley.com/doi/pdf/10.1002/9781394167647.ch6
Reference24 articles.
1. W. Y.Choi B.Park J. D.Lee andT. K.Liu “Tunneling Field‐Effect Transistors ( TFETs ) With Subthreshold Swing ( SS ) Less Than 60 mV / dec ” vol.28 no.8 pp.743–745 2007.
2. Tunnel field-effect transistors as energy-efficient electronic switches
3. Use of Negative Capacitance to Provide Voltage Amplification for Low Power Nanoscale Devices
4. K.BoucartandA. M.Ionescu “Double gate tunnel FET with ultrathin silicon body and high‐k gate dielectric ”ESSDERC 2006 ‐ Proc. 36th Eur. Solid‐State Device Res. Conf. no. Imm pp.383–386 2006 doi:10.1109/ESSDER.2006.307718.
5. Hetero-Gate-Dielectric Tunneling Field-Effect Transistors
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