Challenges to Ultralow-Power Semiconductor Device Operation
Author:
Affiliation:
1. IMEP-LAHC, Minatec; Grenoble-Alpes University; 38016 Grenoble Cedex 1 France
Publisher
John Wiley & Sons, Inc.
Reference34 articles.
1. Subthreshold slope and threshold voltage of the volume inversion MOS transistor;Brini;Proc. IEE Part G: Circ. Devices Syst.,1991
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3. F. Conzatti M. G. Pala D. Esseni E. Bano L. Selmi A simulation study of strain induced performance enhancements in InAs nanowire tunnel-FETs Tech. Dig. IEDM 2011 95
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