Characterization of InGaAs/GaNAs strain-compensated quantum dot solar cells
Author:
Publisher
Wiley
Subject
Condensed Matter Physics
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1. Carrier Transfer of Deep‐Level Localized States in Type‐II In x Ga 1− x As/GaN y As 1− y Short‐Period Superlattice;physica status solidi (b);2019-10-03
2. Design of free-barrier InGaAs/GaNAs multiple quantum well solar cells with 1.2 eV energy gap;Japanese Journal of Applied Physics;2017-07-13
3. Strain-compensated GaPN/GaP heterostructure on (0 0 1) silicon substrates for intermediate band solar cells;Journal of Physics D: Applied Physics;2013-03-28
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