Étude de l'effet „laser” dans des jonctions d'antimoniure de gallium-Reference-Cited by-同舟云学术

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Étude de l'effet „laser” dans des jonctions d'antimoniure de gallium

Published:1965 Issue:1 Volume:10 Page:165-174
ISSN:0370-1972
Container-title:physica status solidi (b)
language:de
Short-container-title:phys. stat. sol. (b)

Author:

Chipaux C.,Eymard R.

Publisher

Wiley

Subject

Condensed Matter Physics,Electronic, Optical and Magnetic Materials

Reference11 articles.

1. Coherent Light Emission From GaAs Junctions

2. , , et , Colloque sur la recombinaison radiative dans les semi-conducteurs, Paris, 27 à 28 juillet 1964.

3. Injection Electroluminescence in Gallium Antimonide

4. et , Bull. Amer. Phys. Soc. (29. 8. 1963).

Cited by 10 articles. 订阅此论文施引文献订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献

1. Effects of pressure on optically pumped GaSb, InAs, and InSb lasers;Journal of Applied Physics;1974-08

2. The impurity density-of-states tails in neutral semiconductors: application to the diffusion current in GaSb p-n junctions;Journal of Physics D: Applied Physics;1973-01-01

3. Electroluminescence in Liquid‐Phase Epitaxial GaSb Diodes;Journal of Applied Physics;1971-03

4. Injection Electroluminescence in Gallium Antimonide;Japanese Journal of Applied Physics;1970-09

5. Der Halbleiterlaser;Laser;1969

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