Herstellung dünner Schichten von Aluminium-, Gallium- sowie Indiumnitrid unter einer Gasentladung
Author:
Publisher
Wiley
Subject
Condensed Matter Physics,Electronic, Optical and Magnetic Materials
Reference11 articles.
1. Über phosphorescenzfähiges, durch Silicium aktiviertes Aluminiumnitrid
2. Nitrogen Compounds of Gallium. III
3. Untersuchungen über die Nitride von Cadmium, Gallium, Indium und Germanium. Metallamide und Metallnitride. VIII. Mitteilung
4. Über die Kantenemission und andere Emissionen des GaN
5. Aluminum Nitride, a Refractory for Aluminum to 2000oC.
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1. GaN on sapphire substrates for visible light-emitting diodes;Nitride Semiconductor Light-Emitting Diodes (LEDs);2018
2. Gallium nitride (GaN) on sapphire substrates for visible LEDs;Nitride Semiconductor Light-Emitting Diodes (LEDs);2014
3. Indium nitride (InN): A review on growth, characterization, and properties;Journal of Applied Physics;2003-09
4. General Properties of Nitrides;Nitride Semiconductors and Devices;1999
5. Progress and prospects of group-III nitride semiconductors;Progress in Quantum Electronics;1996-01
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