Recombinaison radiative dans le germanium fortement dopé et compensé-Reference-Cited by-同舟云学术

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Recombinaison radiative dans le germanium fortement dopé et compensé

Published:1965 Issue:1 Volume:11 Page:295-302
ISSN:0370-1972
Container-title:physica status solidi (b)
language:de
Short-container-title:phys. stat. sol. (b)

Author:

La Guillaume C. Benoità,Cernogora J.

Publisher

Wiley

Subject

Condensed Matter Physics,Electronic, Optical and Magnetic Materials

Reference9 articles.

1. et , 7° Congrés International de Physique des Semiconducteurs, Recombinaison Radiative dans les Semiconducteurs, Paris-Dunod 1964 (p 121).

2. Energy Band Parameters of Germanium Indicated by Tunnel Diode Reverse Characteristics

3. Optical Absorption of Arsenic-Doped Degenerate Germanium

4. et , Proceedings Int. Conf. Semiconductor Physics, Prague 1960 (p 426).

5. et , rapporté par W. P. DUMKE dans 7° Congrés de Physique des Semiconducteurs, Recombinaison Radiative, Paris 1964 (p. 157).

Cited by 10 articles. 订阅此论文施引文献订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献

1. Negative and positive electroluminescence from a compensated p-type germanium in terahertz frequencies;Applied Physics Letters;2007-12-10

2. Inter-impurity recombinations in semiconductors;Progress in Solid State Chemistry;1973-01

3. Conductivité dûe à une bande d'impuretés dans le silicium;Journal de Physique;1971

4. Etudes des queues de bandes dans le Ga Sb fortement dope;Journal of Physics and Chemistry of Solids;1970-01

5. The Influence of Local Potential Fluctuations on the Low-Temperature Radiative Recombination of Compensated Germanium;physica status solidi (b);1969

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