GaN-On-Si Epitaxy

Author:

Dadgar Armin1

Affiliation:

1. Institut für Physik, Fakultät für Naturwissenschaften; Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg; Magdeburg Germany

Publisher

Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA

Reference108 articles.

1. Temperature dependence of the thermal expansion of GaN

2. Precise determination of lattice parameter and thermal expansion coefficient of silicon between 300 and 1500 K

3. Thermal expansion of AlN, sapphire, and silicon

4. Roder , C. 2007 Analyse struktureller Eigenschaften von GaN mittels hochauflösender Röntgenbeugung bei variabler Meßtemperatur https://d-nb.info/984367438/34

5. Silicon carbide (SiC) thermal expansion

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