Band structure anisotropy effects on ultrafast electron transport in 6H-SiC
Author:
Publisher
Wiley
Reference20 articles.
1. Full band Monte Carlo study of bulk and surface transport properties in 4H and 6H–SiC
2. The effect of different transport models in simulation of high frequency 4H-SiC and 6H-SiC vertical MESFETs
3. Ultrafast electron drift velocity overshoot in 3C–SiC
4. High-temperature effects on the velocity overshoot of hot electrons in 6H- and 3C-SiC
5. An ensemble Monte Carlo study of high-field transport in β-SiC
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