Vertical transport in group III‐nitride heterostructures and application in AlN/GaN resonant tunneling diodes-Reference-Cited by-同舟云学术

Vertical transport in group III‐nitride heterostructures and application in AlN/GaN resonant tunneling diodes

Author:

Hermann M.¹,Monroy E.²,Helman A.³,Baur B.¹,Albrecht M.⁴,Daudin B.²,Ambacher O.⁵,Stutzmann M.¹,Eickhoff M.¹

Affiliation:

1. Walter Schottky Institut, Technische Universität München, Am Coulombwall 3, 85748 Garching, Germany

2. Equipe mixte CEA‐CNRS‐UJF Nanophysique et Semiconducteurs, CEA Grenoble, 17 rue des Martyrs, 38054‐Grenoble cedex 9, France

3. Institut d'Electronique Fondamentale, UMR 8622 CNRS, Bat. 220, Université Paris‐Sud, 91405 Orsay, France

4. Universität Erlangen Nürnberg, Institut für Werkstoffwissenschaften und Mikrocharakterisierung, 91058 Erlangen, Germany

5. Technische Universität Ilmenau, Center for Micro & Nanotechnology, 98684 Ilmenau, Germany

Publisher

Wiley

Link

Reference53 articles.

1. I.Asaki H.Amano M.Kitoh K.Hiramatsu andN.Sawaki Ext. Abstr. of 175thSpring Meeting of the Electrochemical Society SOA 673 (1989).

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