Insulating and optical properties of boron nitride for wide‐band‐gap III–N compounds
Author:
Affiliation:
1. LMI, Université Claude Bernard Lyon 1, UMR 5615 CNRS, 43 bd du 11 Novembre 1918, Villeurbanne 69622 cedex, France
Publisher
Wiley
Link
https://onlinelibrary.wiley.com/doi/pdf/10.1002/pssc.200303509
Reference12 articles.
1. Effect of temperature on Ga2O3(Gd2O3)/GaN metal–oxide–semiconductor field-effect transistors
2. Electrical Properties of SiO2/n-GaN Metal-Insulator-Semiconductor Structures
3. Ohmic contact technology in III nitrides using polarization effects of cap layers
4. Low Temperature Double‐Plasma Process for BN Films on Semiconductors
5. Plasma enhanced chemical vapour deposition of boron nitride onto InP
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1. Study of the phase nature of boron- and nitrogen-containing films by optical and photoelectron spectroscopy;Journal of Vacuum Science & Technology B;2020-07
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