Lattice-mismatch-strain effects on excitons in GaAs1-xNx/GaAs heterostructures
Author:
Publisher
Wiley
Subject
Condensed Matter Physics
Reference15 articles.
1. GaInNAs: a novel material for long-wavelength semiconductor lasers
2. Red Shift of Photoluminescence and Absorption in Dilute GaAsN Alloy Layers
3. Bowing parameter of the band-gap energy of GaNxAs1−x
4. Optical properties ofGaAs1−xNxon GaAs
5. Band Anticrossing in GaInNAs Alloys
Cited by 3 articles. 订阅此论文施引文献 订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献
1. Effects of Impurity Doping on Photoluminescence Properties of APbX 3 Lead Halide Perovskites;physica status solidi (b);2019-05-15
2. Photoreflectance study of the temperature dependence of excitonic transitions in dilute GaAsN alloys;physica status solidi (a);2014-03-19
3. Colloidal CdSe/CdS Dot-in-Plate Nanocrystals with 2D-Polarized Emission;ACS Nano;2012-07-23
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