Spin‐Transfer Torque Materials and Devices for Magnetic Random‐Access Memory (STT‐MRAM)
Author:
Publisher
Wiley
Link
https://onlinelibrary.wiley.com/doi/pdf/10.1002/9781119698968.ch4
Reference87 articles.
1. Low‐field magnetoresistance and domain drag in ferromagnets
2. Current-driven excitation of magnetic multilayers
3. Current-Induced Switching of Domains in Magnetic Multilayer Devices
4. Mechanisms of Spin-Polarized Current-Driven Magnetization Switching
5. Measurement of the spin-transfer-torque vector in magnetic tunnel junctions
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1. Anisotropic angle-dependent Andreev reflection at the ferromagnet/superconductor junction on the surface of topological insulators;Physica Scripta;2023-01-27
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