Über die Impedanz von Halbleiter-Elektrolyt-Grenzflächen Mitteilung III: Über den Einfluß von Oberflächenzustanden auf das elektrische Verhalten yon Germanium- und Silizium-Elektroden-Reference-Cited by-同舟云学术

Über die Impedanz von Halbleiter-Elektrolyt-Grenzflächen Mitteilung III: Über den Einfluß von Oberflächenzustanden auf das elektrische Verhalten yon Germanium- und Silizium-Elektroden

Published:1963-07 Issue:5 Volume:67 Page:493-500
ISSN:0005-9021
Container-title:Berichte der Bunsengesellschaft für physikalische Chemie
language:en
Short-container-title:Berichte der Bunsengesellschaft für physikalische Chemie

Author:

Gobrecht H.,Meinhardt O.,Reinicke B.

Publisher

Wiley

Subject

General Chemical Engineering

Link

http://onlinelibrary.wiley.com/wol1/doi/10.1002/bbpc.19630670509/fullpdf

Reference11 articles.

1. Über die Impedanz von Halbleiter-Elektrolyt-Grenzflächen Mitteilung I. Kapazität und Leitwert von Germanium- und Silizium-Elektroden

2. Über die Impedanz von Halbleiter-Elektrolyt-Grenzflächen Mitteilung II. Über die Frequenzabhängigkeit der Impedanz von Germanium-Elektroden

3. Zur Stabilität Stationärer Elektrischer Zweipolzustände

4. Effect of Cupric Ion on the Electrical Properties of the Germanium-Aqueous Electrolyte Interface

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1. Nanoscale Modification of H-Terminated n-Si(100) Surfaces in Aqueous Solutions with an in Situ Electrochemical Scanning Tunneling Microscope;The Journal of Physical Chemistry;1995-12

2. Laser-induced electrodeposition of transition metals on silicon;Electrochimica Acta;1991-01

3. Schottky barrier height and reverse current of the n-Si-electrolyte junction;Surface Science;1979-01

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5. A Capacitive Divider Technique for Fast Interface Capacitance Measurement;Journal of The Electrochemical Society;1969