Diffusion von Ni‐63 in Kupfer bei niedrigen Temperaturen

Abstract

AbstractMit der Methode der radioaktiven Oberfläche wird die Diffusion von Ni‐63 in Kupfer bei niedrigen Temperaturen untersucht (250–520 °C). Der Einfluß der Oberflächenstruktur und der Vorbehandlung der Kupferproben auf die Diffusion wurden gemessen. Für Proben aus Elektrolytkupfer (Reinheit: 0,99995), deren Oberflächen mit Schleifpapier 6/0 geglättet worden waren, wurde für den Diffusionskoeffizienten als Funktion der Temperatur erhalten: equation image Für mechanisch polierte Proben aus dem gleichen Material lautet der entsprechende Ausdruck: equation image Bei elektrolytisch polierten Proben beobachtete man ein Ansteigen der scheinbaren Aktivierungsenergie und des Vorfaktors: equation image Das Elektrolytkupfer war äußerst feinkörnig. Daneben wurde die Diffusion in einem grobkörnigen Reinstkupfer (Reinheit: 0,999999) untersucht. Die einzelnen Körner des Reinstkupfers zeigten nach dem Anätzen eine typisch hexagonale Substruktur. Die Diffusion im Reinstkupfer mit elektrolytisch polierten Proben wird durch folgenden Ausdruck beschrieben: equation image Der Einfluß von Versetzungen auf die Diffusion wurde untersucht, scheint aber hier von untergeordneter Bedeutung zu sein. Die Methode der Diffusionsmessung ist zum Nachweis eines Bestrahlungseffektes auf die Diffusion geeignet.