Silicon Carbide High Temperature Electronics - Is This Rocket Science?

Author:

Zetterling C.-M.

Publisher

John Wiley & Sons, Inc.

Reference22 articles.

1. Process Technology for Silicon Carbide Devices

2. J. Rabkowski D. Peftitsis H.-P. Nee “Design steps towards a 40-kVA SiC inverter with an efficiency exceeding 99.5%,” Proc. IEEE Appl. Power Electronics Conf. (APEC) 2012 1536 1543

3. SiC Schottky diodes in power factor correction;Hodge;Power Electronics Technol.,2004

4. See http://en.wikipedia.org/wiki/Venera

5. See http://www.esa.int/esaMI/Venus_Express/index.html

Cited by 1 articles. 订阅此论文施引文献 订阅此论文施引文献,注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献,订阅后可以查看论文全部施引文献

1. Bipolar integrated circuits in SiC for extreme environment operation;Semiconductor Science and Technology;2017-02-13

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