Magnetic-Field-Induced Metal-Insulator Transition in Hg1–xCdxTe and Hg1–x-yCdxMnyTe
Author:
Publisher
Wiley
Subject
Condensed Matter Physics,Electronic, Optical and Magnetic Materials
Reference11 articles.
1. Influence of sample geometry on the magnetic-field induced metal-insulator transition in nHgCdTe
2. On the hall resistivity of nHgCdTe
3. , and , Proc. 19th Internat. Conf. Phys. Semicond., Warsaw 1988, Vol. 2, (p. 1205) 1988;
4. Magnetic-field-induced localization in narrow-gap semiconductorsHg1−xCdxTe and InSb
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