Author:
Hornischer Rainer,Leute Volkmar
Abstract
AbstractDer Reaktionsmechanismus der doppelten Umsetzung zwischen PbSe‐Kristallen minimalen Dampfdrucks und verschieden vorbehandelten ZnTe‐Kristallen wird mit einer Mikrosonde und mit den Mitteln der opt. Auflichtmikroskopie im Temperaturbereich 500 < T < 700°C untersucht. Dabei zeigt sich, daß bei Te‐dotiertem und bei Zn‐dotiertem ZnTe der Reaktionsablauf durch die Interdiffusion der Chalkogene bestimmt wird, während bei ZnTe minimalen Dampfdrucks im unteren Temperaturbereich die Interdiffusion von Pb und Zn reaktionsbestimmend ist. Zur Deutung des beobachteten Reaktionsverhaltens wird für ZnTe ein Fehlordnungsmodell aufgestellt, das bei hohen Te‐Partialdrücken als wesentliche Komponente neutrale Chalkogenzwischengitterdefektenthält.Anhand dieses Modells lassen sich auch die Beobachtungen mit fremddotierten ZnTe‐Kristallen erklären, wenn man für Ag einen interstitiellen und für In einen substitutionellen Einbau ins ZnTe‐Gitter annimmt.
Subject
General Chemical Engineering