Eine elektrooptische Methode zur Bestimmung von Rekombinationsrate und Termverteilung an Halbleiteroberflächen

Abstract

AbstractAus der internen Reflexionsspektroskopie wurde eine einfache Meßmethode zur Untersuchung der Eigenschaften des oberflachennahen Bereiches von Halbleiterelektroden entwickelt. Insbesondere gelingt es mit diesem Verfahren, durch Messung der Infrarotabsorption freier Ladungsträger die Rekombinationsrate der Oberfläche einer Germaniumelektrode zu bestimmen. Daneben lassen sich in Abhängigkeit vom Polarisationszustand der Elektrode die energetische Verteilung der zur Rekombination führenden Adsorptionsterme angeben. sowie Aussagen über die Zusammensetzung und Struktur der Helmholtz‐Schicht gewinnen.