Abstract
AbstractZnO, das im Hochvakuum bei 400°C aktiviert worden ist, vermag NO bei Zimmertemperatur zu N2O zu reduzieren. Durch Dotierung mit Li2O kann dieser Reduktionsvorgang weitgehend gehemmt werden. Eine Dotierung mit Ga2O3 erhöht die Reduktionswirkung des ZnO so stark, daß NO als solches an der Oberfläche des Oxids infrarotspektroskopisch nicht mehr nachgewiesen werden kann. Die nach der Bruttoreaktionmagnified imageentstehenden O−‐Ionen bilden Elektronenfallen an der Zinkoxidoberfläche. Sie reagieren teilweise mit weiterem NO zu einem Komplex. dessen Struktur der eines Bidentat‐nitrato‐Komplexes am nächsten kommt.
Subject
General Chemical Engineering