Abstract
AbstractMit Hilfe der differentiellen Reflexionsspektroskopie wird die elektrolytische Abscheidung von Metallatomen auf ZnO untersucht. Dabei wird die relative Reflexionsänderung ΔR/Rder Halbleiterelektrode insitugemessen.Aufgrund der großen Unterschiede in den optischen Eigenschaften des gebildeten Films (Metallatome) und des Substrates (Halbleiter) kann man bereits bei einer Monoschichtbedeckung Reflexionsänderungen ΔR/Rin der Größenordnung von Prozenten erhalten. Dies ermöglicht den Nachweis von Metalladsorbaten bereits bei niedrigen Bedeckungsgraden (θ ε 0,1) und unabhängig von anderen Reaktionen. wie z. B. H2‐Entwicklung oder O2‐Reduktion, die einen Nachweis mittels Strommessung sehr erschweren.Mit der oben beschriebenen Technik wird der Mechanismus der Zinkabscheidung auf ZnO genauer studiert. Es zeigt sich, daß die Abscheidungsspannung den größten Einfluß auf die Struktur des abgeschiedenen Films ausübt und der Übergang von nichtmetallischen zu metallischen Eigenschaften mit wachsender Filmdicke verfolgt werden kann.
Subject
General Chemical Engineering