Der Einfluß der Schwefelkonzentration und des Antimongehaltes auf Bleiglanzphotoelemente

Abstract

AbstractDas elektrische Verhalten natürlicher überschuß‐ und defektleitender Bleiglanzphotoelemente nach Temperungen im Schwefeldampf und im Vakuum wird untersucht. Auf Grund dieser Untersuchungen kann ein neues Verfahren entwickelt werden, das die Herstellung gut wirksamer, vollsynthetischer Bleiglanzphotoelemente beider Leitungstypen gestattet.Als Ergebnis systematischer Synthesen mit wechselnden Antimongehalten zeigt sich, daß Sb+++ an Stelle von Pb++ mit in das Bleiglanzgitter eingebaut wird und dann die Bildung von Überschußhalbleitern begünstigt.Der quantitative Einfluß dieser Reaktion wird durch Anwendung der Wagner‐Schottkyschen Fehlordnungstheorie gedeutet. Weiterhin werden die Vorgänge bei der Umwandlung des einen Halbleitertyps in den anderen diskutiert und Möglichkeiten zur Herstellung von Bleiglanz‐p‐n‐Schichtkristallen besprochen.