1. Горлов, М.И. Геронтология кремниевых интегральных микросхем / М.И. Горлов, В.А. Емельянов, А.В. Строгонов, Отв. ред. Б.И. Казуров. М.: Наука, 2004. 240 с., Gorlov MI, Yemelyanov VA, Strogonov AV. Gerontology of silicon integrated circuits. Moscow: Nauka; 2004.
2. Сборка 3D-изделий с использованием проволочных выводов / В.В. Зенин, А.А. Стоянов, С.В. Петров, С.Ю. Чистяков // Микроэлектроника. 2014. Т. 43, № 1. С. 29-42., Zenin VV, Stoyan AA, Petrov SV, Chistyakov AV. Assembling 3D products using wire leads. Microelectronics. 2014;43(1):29-42.
3. Ефимов, И.Е. Микроэлектроника. Физические и технологические основы, надежность / И.Е. Ефимов, И.Я. Козырь, Ю.И. Горбунов. М.: Высш. шк., 1986. 464 с., Efimov IE, Kozyr IYa, Gorbunov YuI. Microelectronics. Physical and technological foundations, reliability. Moscow: Vysshaya Shkola; 1986.
4. Чернышев, А.А. Основы надежности полупроводниковых приборов и интегральных микросхем / А.А. Чернышев. М.: Радио и связь, 1988. 256 с., Chernyshev AA. Fundamentals of reliability of semiconductor devices and integrated circuits. Moscow: Radio I Svyaz; 1988.
5. Ahmad, S.S. Au/Al Wire Bond Interface Resistance Degradation Rate Simulations / Syed Sajid Ahmad, Scott C. Smith // IEEE Transactions on Device and Materials Reliability. 2019. Vol. 19, №. 4, December. pp. 774-781., Ahmad SS, Smith SK . Au/Al Wire Bond Interface Resistance Degradation Rate Simulations. IEEE Proceedings on the Reliability of Devices and Materials. 2019;19(4):774-781.