ОСОБЛИВОСТІ СПЕКТРІВ ВИПРОМІНЮВАННЯ ВИХІДНИХ ТА ОПРОМІНЕНИХ ЕЛЕКТРОНАМИ УФ СД InGaN

Abstract

Досліджувались світлодіоди (СД), вирощені на основі твердих розчинів InxGa1-xN (х≤0,1). Виявлено, що спектр випромінювання досліджуваних зразків при 300К складається з трьох смуг з λ1мах=370 нм (УФ), λ2мах=550 нм (жовтої) та λ3мах=770 нм (червоної). Перша з них виникає внаслідок рекомбінаційних переходів у квантових ямах (КЯ); дві інші – дефектного походження. Результат оцінки температури p-n-переходу у режимі номінального робочого струму діода (І=20 мА) близький до 252℃. Падіння ефективності випромінювання СД у результаті зростання струму може бути зумовленим збільшенням відносного внеску безвипромінювальних переходів при входженні квазірівня Фермі в область підвищеної щільності хвостів зон. Дуплетна структура максимуму випромінювання УФ – смуги при 77К – наслідок фононного повторення основної лінії випромінювання. Опромінення електронами супроводжується падінням інтенсивності свічення всіх трьох смуг; виникнення максимума λмах=420 нм очевидно пов’язане із введенням радіаційних дефектів в область КЯ.