Al/Organometalik Kompleks/p-Si Yapısının Elektriksel Özelliklerinin İncelenmesi

Abstract

Organometalik kompleksi (OMcomplex) arayüzey tabakası olarak p-Si üzerinde ince bir film olarak biriktirmek için döndürmeli kaplama kullanıldı. Al/OMcomplex/p-Si Schottky diyot yapısı gerekli işlemlerden sonra oda sıcaklığında elde edilmiştir. Arayüz katmanlı Schottky diyotun Akım-Gerilim (I-V) ve Kapasitans-Gerilim (C-V) ölçümleri diyotun karakteristik parametrelerini hesaplamak için kullanıldı. I-V okumalarından bariyer yüksekliği (Φb0) ve idealite faktörü (n) hesaplandı ve sonuçlar sırasıyla 0.797 eV ve 1.615 oldu. Seri direnç (Rs), Cheung ve Norde fonksiyonları ile bulunarak karşılaştırıldı. Ayrıca 10 kHz ile 1 MHz frekans aralığında yapılan C-V ölçümlerinden doping yoğunluğu (Na) değerleri ve engel yüksekliği bulunmuş ve I-V ve C-V gözlemlerinden ulaşılan Φb0 değerleri karşılaştırılmıştır. I-V ve C-V den elde edilen engel yüksekliği değerlerinin farklılığı, engel yüksekliğinin homojen olmayışı, arayüzey tabakasının varlığı, arayüzey tabakasının kalınlığı ve seri direnç etkilerinin yanı sıra her iki yöntemin farklı tabiatına atfedilmiştir.