Abstract
Мемристоры рассматриваются сегодня как перспективные элементы
для применения в энергонезависимой памяти и других изделиях
микроэлектроники. Исследования в области синтеза мемристорных
структур направлены на повышение надежности хранения данных
и улучшение других характеристик, таких как увеличение количества
циклов перезаписи и скорости переключения. В статье описан
способ формирования мемристорной структуры методом спрей-пиролиза
оксида олова и электрохимического осаждения оксида меди.
Обсуждаются результаты измерения электрических характеристик
полученного мемристора, проанализированы факторы, влияющие на
воспроизводимость его свойств.