Влияние температуры подложки на оптические свой­ства тонких пленок GaSe, полученных методом PECVD

Abstract

Впервые тонкие пленки GaSe были получены методом плазмохимического осаждения из газовой фазы (PECVD), где в качестве исходных веществ использовались высокочистые элементарные галлий и селен. Инициирование взаимодействия элементов осуществлялось ВЧ-разрядом (40,68 МГц) при пониженном давлении 0,1 Торр. Исследованы состав, морфология поверхности, структурные и оптические свойства пленок селенида галлия в зависимости от температуры подложки. Осажденные пленки поликристаллического GaSe были получены на сапфировой подложке при температурах 250 и 350 °C, а аморфные пленки GaSe – при 150 °C.