ОСОБЕННОСТИ КОНСТРУКЦИИ ГЕТЕРОСТРУКТУР ПРИ ПОСТРОЕНИИ GaN НОРМАЛЬНО ЗАКРЫТЫХ ТРАНЗИСТОРОВ ДЛЯ СИЛОВЫХ МОНОЛИТНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ-Reference-Cited by-同舟云学术

ОСОБЕННОСТИ КОНСТРУКЦИИ ГЕТЕРОСТРУКТУР ПРИ ПОСТРОЕНИИ GaN НОРМАЛЬНО ЗАКРЫТЫХ ТРАНЗИСТОРОВ ДЛЯ СИЛОВЫХ МОНОЛИТНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ

Published:2023-02-16 Issue:1 Volume:16 Page:70-79
ISSN:2687-0282
Container-title:Nanoindustry Russia
language:
Short-container-title:NanoRus

Author:

Царик К.А.^ORCID,Чуканова О.Б.^ORCID,Козловская Е.К.

Abstract

В статье рассмотрены ключевые зависимости характеристик нормально-закрытых тран- зисторов от параметров GaN гетероструктур. Определены толщины и концентрации легирующих примесей в слоях гетероструктуры. В результате моделирования получены вольтамперные характеристики р-канального полевого транзистора и n-канального транзистора с подзатворным слоем р-типа.

Publisher

Technosphera JSC

Subject

Industrial and Manufacturing Engineering,Materials Science (miscellaneous),Business and International Management

Reference18 articles.

1. Ohmaki Y., Tanimoto M., Akamatsu S., Mukai T. Enhancement-mode AlGaN/AlN/GaN high electron mobility transistor with low onstate

2. resistance and high breakdown voltage. / Japanese Journal of Applied Physics. 2006. Vol. 45. no.2. P. 42–45.

3. Meneghini M., Hilt O., Wuerfl J., Meneghesso G. Technology and reliability of normally-off GaN HEMTs with p-type gate / Energies. 2017. Vol. 10, no. 2. P. 153.

4. Chen K.J. Enhancement‐mode AlGaN/GaN HEMT and MIS‐HEMT technology / K.J. Chen C. Zhou // Physica status solidi (a). 2011. Vol. 208,

5. no. 2. P. 434–438.

Cited by 1 articles. 订阅此论文施引文献订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献

1. Investigation of the Influence of the Buffer Layer Design in a GaN HEMT Transistor on the Breakdown Characteristics;Russian Microelectronics;2023-12