Abstract
В статье рассмотрены ключевые зависимости характеристик нормально-закрытых тран-
зисторов от параметров GaN гетероструктур. Определены толщины и концентрации легирующих примесей в слоях гетероструктуры. В результате моделирования получены вольтамперные характеристики р-канального полевого транзистора и n-канального транзистора с подзатворным слоем р-типа.
Subject
Industrial and Manufacturing Engineering,Materials Science (miscellaneous),Business and International Management