Abstract
Представлены результаты исследования экспериментальных образцов и разработанной теоретической модели физического процесса перемагничивания многослойной магниторезистивной наноструктуры с магнитострикционным эффектом. Описаны основные факторы, влияющие на процессы магнитной стрейнтроники. Полученные результаты теоретического расчета магнитосопротивления при механических деформациях согласуются с экспериментальными данными.
Subject
Industrial and Manufacturing Engineering,Materials Science (miscellaneous),Business and International Management
Reference5 articles.
1. Lohndorf M., Duenas T., Tewes M., Quandt E. et al. Highly sensitive strain sensors based on magnetic tunneling junctions // Applied Physics Letters. 2002. V. 81, no. 2. PP. 313–315.
2. Касаткин С.И., Васильева Н.П., Муравьев А.М. Спинтронные магниторезистивные элементы и приборы на их основе. М.: Электронинформ, 2005, 168 c.
3. Investigation of Multilayer Nanostructures of Magnetic Straintronics Based on the Anisotropic Magnetoresistive Effect
4. Магнитострикционные свойства периодических наноструктур на основе CoFe/FeNiCo
5. Вагин Д.В., Герасименко Т.Н., Поляков П.А. Точное аналитическое выражение для индукции магнитного поля образца прямоугольной формы // Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия. 2008. № 6. С. 20.