Abstract
Проведено приборно-технологическое моделирование МОП-транзистора, подвергшегося воздействию тяжелой заряженной частицы (ТЗЧ). Предложена и проверена гипотеза о линейной зависимости накопленного в приборе заряда от величины линейной потери энергии попадающей в него частицы. Определены наиболее чувствительные к радиационному воздействию области рассматриваемого транзистора.
Subject
Industrial and Manufacturing Engineering,Environmental Engineering
Reference13 articles.
1. Hazucha P., Svensson C. Impact of CMOS technology scaling on the atmospheric neutron soft error rate // IEEE Transactions on Nuclear Science. Vol. 47, no. 6. PP. 2586–2594.
2. Baumann R.C. Radiation-induced soft errors in advanced semiconductor technologies // IEEE Transactions on Device and Materials Reliability.
3. Vol. 5, no. 3. PP. 305–316.
4. Anashin V.S., Koziukov A.E., Gorchichko M.E., Zemtsov K.S., Galimov A.M., Zebrev G.I. Compact modeling of soft error rate in space environment,
5. 2016 16th European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems (RADECS), 2016. PP. 1–5.