Creation of Affordable Manufacturing Processes of Ultrahigh-quality Graphene Growth and High-frequency Graphene Devices by Using Single-crystalline SiC Thin Films on Device-type Substrates
Author:
Affiliation:
1. Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University
Publisher
Surface Science Society Japan
Link
https://www.jstage.jst.go.jp/article/vss/64/7/64_20180746/_pdf
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